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NXP - PMBFJ175215 - 场效应管 MOSFET P沟道 30V 30mA SOT23 - PMBFJ175215
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PMBFJ175215|NXP
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PMBFJ175215
制造商型号： PMBFJ175215
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 30V 30mA SOT23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 30V 30mA SOT23
  • 晶体管类型: 结型场效应晶体管（JFET）
  • 击穿电压: 30V
  • 零闸电压漏极电流, Idss 最小值: 7mA
  • 零闸电压漏极电流, Idss 最大值: 70mA
  • 栅极源极截断电压, Vgs 最大值: 6V
  • 功耗, Pd: 300mW
  • 工作温度最小值: -65°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 在电阻RDS（上）: 125ohm
  • 封装/箱盒: SOT-23
  • 工作温度范围: -65°C 至 +150°C
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电流, Id 连续: 70mA
  • 表面安装器件: SMD
  • 零闸极电压漏极电流, Idss: 7mA 至 70mA

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