NXP - PMBF170 - 场效应管 MOSFET N SOT-23 - PMBF170
库存查询
网站首页
公司简介
制造商索引
产品索引
人才招聘
联系我们
您现在的位置:
首页
>
制造商索引
>
NXP
-
PMBF170
- 场效应管 MOSFET N SOT-23 - PMBF170
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存
50个仓库,1500万条库存数据任选
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMBF170
制造商型号:
PMBF170
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET N SOT-23
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N SOT-23
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 300mA
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS(上): 5ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
功耗, Pd: 830mW
工作温度最小值: -65°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-23
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 830mW
功耗, Pd: 830mW
封装/箱盒: SOT-23
工作温度范围: -65°C 至 +150°C
总功率, Ptot: 830mW
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 300mA
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 60V
电压, Vgs 最高: 20V
电流, Idm 脉冲: 1.2A
表面安装器件: SMD
通态电阻最大值: 5ohm
阈值电压, Vgs th 最高: 3V
产地: NE Niger
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
PMBF170
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息: 暂无相关型号
询价
*所需产品:
型号: PMBF170 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET N SOT-23
*联系人:
*联系电话:
*电子邮箱:
备注内容:
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
类似产品
PMBF170,215
NXP
PMBF 系列 60 V 5 Ω 0.83 W N 沟道 增强模式 晶体管 - SOT-223
PMBF170,215
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
PMBF170,235
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH 60V SOT-23
PMBF4391 T/R
NXP Semiconductors
射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS
PMBF4391,21
NXP
晶体管,JFET,N沟道,40V,150mA,TO236AB
电话:400-900-3095 邮箱:
sales@szcwdz.com
QQ:
800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司
www.szcwdz.cn
粤ICP备11103613号