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NXP - PHT6N06 - MOSFET,N沟道,55V,5.5A,SOT223 - PHT6N06
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PHT6N06
制造商型号: PHT6N06
制造商: NXP
描述: MOSFET,N沟道,55V,5.5A,SOT223
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间7.8 ns
典型接通延迟时间4.9 ns
典型栅极电荷@Vgs5.6 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds175 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度3.7mm
封装类型SC-73
尺寸6.7 x 3.7 x 1.7mm
引脚数目4
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散8300 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压55 V
最大漏源电阻值0.15 Ω
最大连续漏极电流5.5 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双漏极、单
长度6.7mm
高度1.7mm

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