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NXP - PHT4NQ10T,135 - PHT 系列 100 V 250 mΩ 6.9 W TrenchMOS 标准电平 FET - SOT-223 - PHT4NQ10T135
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PHT4NQ10T,135|NXP
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PHT4NQ10T,135
制造商型号： PHT4NQ10T,135
制造商： NXP
描述： PHT 系列 100 V 250 mΩ 6.9 W TrenchMOS 标准电平 FET - SOT-223
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 250 mΩ
  • Qg Gate Charge: 7.4 nC
  • Rated Power Dissipation: 6.9 W

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