NXP - PHT4NQ10LT,135 - PHT 系列 55 V 40 mΩ 8.3 W N沟道 增强模式 晶体管 - SOT-223 - PHT4NQ10LT135
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PHT4NQ10LT,135
- PHT 系列 55 V 40 mΩ 8.3 W N沟道 增强模式 晶体管 - SOT-223 - PHT4NQ10LT135
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PHT4NQ10LT,135
制造商型号:
PHT4NQ10LT,135
制造商:
NXP
描述:
PHT 系列 55 V 40 mΩ 8.3 W N沟道 增强模式 晶体管 - SOT-223
技术参考:
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库存状态:
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所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
55 V
Drain-Source On Resistance-Max:
40 mΩ
Qg Gate Charge:
17 nC
Rated Power Dissipation:
8.3 W
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
PHT4NQ10LT,135
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www.szcwdz.com.cn
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型号: PHT4NQ10LT,135 品牌: NXP 备注: PHT 系列 55 V 40 mΩ 8.3 W N沟道 增强模式 晶体管 - SOT-223
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