| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PHK28NQ03LT,518 [更多] | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PHK28NQ03LT,518 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 23.7A 8-Pin SO T/R pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PHK28NQ03LT,51 | NXP | MOSFET，N沟道，30V，23.7A，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PHK28NQ03LT 518 NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| PHK28NQ03LT,51 NXP | MOSFET，N沟道，30V，23.7A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | PHK28NQ03LT,518 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PHK28NQ03LT,518 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23.7A（Tc） 6.25W（Tc） 8-SO 型号：PHK28NQ03LT,518 仓库库存编号：PHK28NQ03LT,518-ND 别名：934057264518 PHK28NQ03LT /T3 PHK28NQ03LT /T3-ND | 无铅 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： PHK28NQ03LT,518 品牌： NXP 库存编号： 509-768 | 查看其他仓库 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| PHK28NQ03LT,518 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| PHK28NQ03LT,51 NXP | MOSFET，N沟道，30V，23.7A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 80 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30.3 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2800 pF V @ 20 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SO | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.45mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 6250 mW | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.007 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 23.7 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.45mm |
