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NXP - PHD71NQ03LT - 场效应管 MOSFET N 30V D-PAK - PHD71NQ03LT
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PHD71NQ03LT|NXP
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PHD71NQ03LT
制造商型号： PHD71NQ03LT
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N 30V D-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N 30V D-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 75A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 10mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.9V
  • 功耗, Pd: 120W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: PHD71NQ03LT
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 封装类型, 其它: D-PAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 75A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 240A
  • 表面安装器件: SMD
产地： DE Germany

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