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NXP - PHD44N06LT - 场效应管 MOSFET N D-PAK - PHD44N06LT
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PHD44N06LT|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PHD44N06LT
制造商型号： PHD44N06LT
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N D-PAK
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 晶体管极性:?频道
  • 电流, Id 连续: 44A
  • 电压, Vds 最大: 55V
  • 功耗, Pd: 114W
  • 封装类型: D-PAK
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功率, Pd: 114W
  • 功耗: 114W
  • 封装类型: DPAK
  • 封装类型, 替代: D-PAK
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • ??功率温度: 25°C
  • 电流, Idm 脉冲: 176A
  • 表面安装器件: 表面安装
  • 通态电阻, Rds on 最大: 28mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 2V
产地： NE Niger

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