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NXP - PH3830L - 场效应管 MOSFET N 30V LFPAK - PH3830L
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型号 制造商 描述 操作
PH3830L,115
[更多]		 NXP Semiconductors

MOSFET N-CH TRENCH 30V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
PH3830L115
[更多]		 NXP Semiconductors  

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PH3830L NXP 场效应管 MOSFET N 30V LFPAK 查看库存、价格及货期
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PH3830L,115|NXP SemiconductorsPH3830L,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
Rohs

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PH3830L|NXPPH3830L
NXP		场效应管 MOSFET N 30V LFPAK
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
PH3830L|NXPPH3830L
NXP		场效应管 MOSFET N 30V LFPAK
Rohs

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无图PH3830L 115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH TRENCH 30V
暂无PDF 		查价格库存
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PH3830L,115|NXP SemiconductorsPH3830L,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
Rohs

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无图PH3830L115
NXP		原厂原装货
暂无PDF 		查价格库存
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  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
PH3830L,115|NXP SemiconductorsPH3830L,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
Rohs

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

NXP USA Inc. - PH3830L,115 - MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK		NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 98A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8

型号：PH3830L,115
仓库库存编号：568-2346-1-ND
别名：568-2346-1
无铅
PH3830L|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PH3830L
制造商型号： PH3830L
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N 30V LFPAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N 30V LFPAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 98A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 4mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
  • 功耗, Pd: 62.5W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-669
  • 针脚数: 4
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 外宽: 5mm
  • 外部深度: 6.2mm
  • 外部长度/高度: 1.2mm
  • 封装/箱盒: SOT-669
  • 工作??度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管数: 1
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 33nC
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 98A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 290A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 4mohm
  • 通态电阻最大值: 4.9mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
产地： DE Germany

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