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NXP - PH3230S,115 - PH 系列 30 V 3.2 mΩ 62.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-669 - PH3230S115
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PH3230S,115
制造商型号： PH3230S,115
制造商： NXP
描述： PH 系列 30 V 3.2 mΩ 62.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-669
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 3.2 mΩ
  • Qg Gate Charge: 42 nC
  • Rated Power Dissipation: 62.5 W

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