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NXP - PH20100S,115 - PH 系列 100 V 23 mΩ 62.5 W N沟道 TrenchMOS 标准电平 FET - SOT-669 - PH20100S115
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PH20100S,115
制造商型号： PH20100S,115
制造商： NXP
描述： PH 系列 100 V 23 mΩ 62.5 W N沟道 TrenchMOS 标准电平 FET - SOT-669
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 19 mΩ
  • Qg Gate Charge: 8.9 nC
  • Rated Power Dissipation: 62.5 W

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