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NXP - PDTD113E - 晶体管，NPN，50V，0.5A，1K，1K，TO236AB - PDTD113E
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PDTD113E
制造商型号： PDTD113E
制造商： NXP
描述： 晶体管，NPN，50V，0.5A，1K，1K，TO236AB
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型电阻比1
典型输入电阻器1 kΩ
安装类型表面贴装
宽度1.4mm
封装类型TO-236AB
尺寸3 x 1.4 x 1mm
引脚数目3
晶体管类型NPN
最低工作温度-65 °C
最大发射极-基极电压10 V
最大连续集电极电流500 mA
最大集电极-发射极电压50 V
最大集电极-发射极饱和电压0.3 V
最小直流电流增益33
最高工作温度+150 °C
配置单
长度3mm
高度1mm

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