NXP - NX3008PBKS - 场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 200mA SOT363 - NX3008PBKS
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- 场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 200mA SOT363 - NX3008PBKS
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NX3008PBKS
制造商型号:
NX3008PBKS
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 200mA SOT363
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 200mA SOT363
晶体管极性: 双P沟道
电流, Id 连续: -200mA
漏源电压, Vds: -30V
在电阻RDS(上): 2.8ohm
电压 @ Rds测量: -4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: -900mV
功耗, Pd: 280mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-363
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
电流, Idm 脉冲: -0.8A
阈值电压, Vgs th 最高: 8V
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型号: NX3008PBKS 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET 双P沟道 30V 200mA SOT363
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