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NXP - BZX79-C9V1 - 二极管齐纳击穿 500MW 9.1V - BZX79C9V1
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BZX79-C9V1|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BZX79-C9V1
制造商型号： BZX79-C9V1
制造商： NXP
描述： 二极管齐纳击穿 500MW 9.1V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 二极管齐纳击穿 500MW 9.1V
  • 典型齐纳电压, Vz: 9.1V
  • 功耗, Pd: 500mW
  • 工作温度最小值: -65°C
  • 工作温度最高值: 200°C
  • 二极管封装形式: DO-35
  • 针脚数: 2
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 二极管类型: 齐纳
  • 功耗最大值: 400mW
  • 外径: 2mm
  • 外部长度/高度: 4.5mm
  • 容差: 5%
  • 封装/箱盒: DO-35
  • 封装类型, 其它: SOD-27
  • 工作温度范围: -65°C 至 +200°C
  • 总功率, Ptot: 500mW
  • 测试电流: 5mA
  • 表面安装器件: 轴向引线
  • 齐纳电流: 5mA

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