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NXP - BZV55-C12 - 二极管齐纳击穿 500MW 12V - BZV55C12
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BZV55-C12|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BZV55-C12
制造商型号： BZV55-C12
制造商： NXP
描述： 二极管齐纳击穿 500MW 12V
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 二极管齐纳击穿 500MW 12V
  • 典型齐纳电压, Vz: 12V
  • 功耗, Pd: 500mW
  • 工作温度最小值: -65°C
  • 工作温度最高值: 200°C
  • 二极管封装形式: SOD-80C
  • 针脚数: 2
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: 黄色色带标示
  • 二极管类型: 齐纳
  • 功耗最大值: 500mW
  • 容差: 5%
  • 封装/箱盒: SOD-80C
  • 工作温度范围: -65°C 至 +200°C
  • 总功率, Ptot: 500mW
  • 测试电流: 5mA
  • 表面安装器件: SMD
产地： NE Niger

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