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NXP - BUK9K18-40E,115 - BUK9K18 系列 40 V 19.5 mΩ 双通道 N 沟道 TrenchMos 逻辑电平 FET- LFPAK-56D - BUK9K1840E115
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BUK9K18-40E,115
制造商型号： BUK9K18-40E,115
制造商： NXP
描述： BUK9K18 系列 40 V 19.5 mΩ 双通道 N 沟道 TrenchMos 逻辑电平 FET- LFPAK-56D
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • Channel Type: Dual N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 19.5 mΩ
  • Qg Gate Charge: 14.5 nC
  • Rated Power Dissipation: 38 W

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