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NXP - BUK9E1R9-40E - 场效应管 MOSFET N沟道 40V I2PAK - BUK9E1R940E
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BUK9E1R9-40E|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BUK9E1R9-40E
制造商型号： BUK9E1R9-40E
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 40V I2PAK
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 40V I2PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 72A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 0.013ohm
  • 电压 @ Rds测量: 20V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 20V
  • 功耗, Pd: 182W
  • 工作温度最小值: 0°C
  • 工作温度最高值: 110°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • MSL: MSL 1 -无限制
  • SVHC(高??关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: 0°C 至 +110°C

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