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NXP - BUK762R6-60E - 场效应管 MOSFET N沟道 60V 120A D2PAK - BUK762R660E
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BUK762R6-60E|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BUK762R6-60E
制造商型号： BUK762R6-60E
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 60V 120A D2PAK
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 60V 120A D2PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 120A
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS（上）: 1970μohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 324W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C

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