NXP - BUK6607-55C - 场效应管 MOSFET N沟道 55V 72A SOT404 - BUK660755C
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BUK6607-55C
制造商型号:
BUK6607-55C
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 55V 72A SOT404
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 55V 72A SOT404
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 100A
漏源电压, Vds: 55V
在电阻RDS(上): 5.5mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 2.3V
功耗, Pd: 158W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作???度范围: -55°C 至 +175°C
漏极电流, Id 最大值: 100A
电压, Vgs 最高: 16V
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
BUK6607-55C
旗下站点
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型号: BUK6607-55C 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 55V 72A SOT404
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Q Q:
800152669
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