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NXP - BUK653R5-55C - 场效应管 MOSFET N沟道 55V 120A SOT78 - BUK653R555C
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型号 制造商 描述 操作
BUK653R5-55C,127
[更多]		 Nexperia

MOSFET N-CHAN 55V 120A

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
BUK653R5-55C,127
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Trans MOSFET N-CH 55V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
BUK653R5-55C
[更多]		 Nexperia

MOSFET,N CH,55V,120A,SOT78

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BUK653R5-55C
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BUK653R5-55C127
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型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
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BUK653R5-55C NXP 场效应管 MOSFET N沟道 55V 120A SOT78 查看库存、价格及货期
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NXP USA Inc. - BUK653R5-55C,127 - MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB		NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 120A（Tc） 263W（Tc） TO-220AB

型号：BUK653R5-55C,127
仓库库存编号：568-7497-5-ND
别名：568-7497-5
934064238127
BUK653R5-55C,127-ND
BUK653R555C127
含铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
BUK653R5-55C
NEXPERIA BUK653R5-55C		1863292

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 55 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
BUK653R5-55C|NXPBUK653R5-55C
NXP		场效应管 MOSFET N沟道 55V 120A SOT78
Rohs

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无图BUK653R5-55C 127
NXP Semiconductors		MOSFET N-CHAN 55V 120A
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BUK653R5-55C,127|NXP SemiconductorsBUK653R5-55C,127
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH TRENCH TO220AB
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
BUK653R5-55C,127|NXP SemiconductorsBUK653R5-55C,127
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH TRENCH SOT78A
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BUK653R5-55C,127|NXP SemiconductorsBUK653R5-55C,127
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH TRENCH TO220AB
Rohs

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BUK653R5-55C|NXPBUK653R5-55C
NXP		场效应管 MOSFET N沟道 55V 120A SOT78
Rohs

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BUK653R5-55C|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BUK653R5-55C
制造商型号： BUK653R5-55C
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 55V 120A SOT78
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 55V 120A SOT78
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 120A
  • 漏源电压, Vds: 55V
  • 在电阻RDS（上）: 3.3mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2.3V
  • 功耗, Pd: 263W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-220AB
  • 针脚数: 3
  • MSL: (Not Applicable)
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 120A
  • 电压, Vgs 最高: 16V

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