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NXP - BSS123,215 - BSS 系列 100 V 6 Ω 25 mW N沟道 TrenchMOS 逻辑电平FET - SOT-23 - BSS123215
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BSS123,215|NXP
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BSS123,215
制造商型号： BSS123,215
制造商： NXP
描述： BSS 系列 100 V 6 Ω 25 mW N沟道 TrenchMOS 逻辑电平FET - SOT-23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 6 Ω
  • Rated Power Dissipation: 0.25 W

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: BSS123,215
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