| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BSP220,115 [更多] | Nexperia | MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| BSP220,115 [更多] | Nexperia | MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| BSP220,115 [更多] | Nexperia | MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BSP220,115 [更多] | Nexperia | MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BSP220,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BSP220,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: BSP220,115) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BSP220,115 [更多] | Nexperia | MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
| 搜索 |
| BSP220,115 [更多] | Nexperia | MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BSP220,115 [更多] | Nexperia | Single P-Channel 200 V 12 Ohm 1.5 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223 RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| 51BSP22-01-1-16N [更多] | Grayhill Inc | ROTARY SWITCH, SCREWDRIVER SLOT SHAFT, SHAFT/PANEL SEAL, PC MOUNT, 22.5&DEG, , 1 DECK, 1 POLE/DECK, 16 POSITIONS/POLE, NON-SHORTING, 51BSP22-01A16N
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BSP220,11 | NXP | MOSFET，P沟道，200V，0.225A，SOT223 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： BSP220,115 品牌： Nexperia 库存编号： 725-8379 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 225mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-223 型号：BSP220,115 仓库库存编号：1727-4929-1-ND 别名：1727-4929-1 568-6221-1 568-6221-1-ND | 无铅 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | BSP220 115 NXP Semiconductors | MOSFET TAPE-7 MOSFET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| BSP220,11 NXP | MOSFET，P沟道，200V，0.225A，SOT223 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | BSP220,115 NXP Semiconductors | MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 | 查价格库存 查看详细 |
 | BSP220115 NXP | 场效应管 MOSFET P沟道 200V 225mA SOT223 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| BSP220,115 NXP Semiconductors | MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 | 查价格库存 查看详细 |
| BSP220,11 NXP | MOSFET，P沟道，200V，0.225A，SOT223 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| BSP220115 NXP | 场效应管 MOSFET P沟道 200V 225mA SOT223 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | BSP220,115 NXP Semiconductors | MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 65 pF V @ -25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.7mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | -200 V | |
| 最大漏源电阻值 | Ω12 | |
| 最大连续漏极电流 | -0.225 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 双漏极、单 | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 高度 | 1.7mm |
