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NXP - BSP130115 - 场效应管 MOSFET N沟道 300V 350mA SOT223 - BSP130115
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BSP130,115
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Nexperia

MOSFET N-CH 300V 350MA SC73

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Nexperia

MOSFET N-CH 300V 350MA SC73

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MOSFET N-CH 300V 350MA SC73

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MOSFET TAPE-7 MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 300V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Tape and Reel (Alt: BSP130,115)

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MOSFET, N CH, 300V, 350MA, SOT223

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MOSFET, N CH, 300V, 350MA, SOT223

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N-Channel 300 V 6 Ohm 1.5 W SMT Enhancement Mode D-MOS Transistor SOT-223

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BSP130,115
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Nexperia

N-Channel 300 V 6 Ohm 1.5 W SMT Enhancement Mode D-MOS Transistor SOT-223

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BSP130115 NXP 场效应管 MOSFET N沟道 300V 350mA SOT223 查看库存、价格及货期
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Nexperia USA Inc. - BSP130,115 - MOSFET N-CH 300V 350MA SC73
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 300V 350MA SC73

详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223

型号:BSP130,115
仓库库存编号:1727-4928-1-ND
别名:1727-4928-1 <br>568-6220-1 <br>568-6220-1-ND <br>

无铅
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BSP130,115
NEXPERIA BSP130,115
1758082

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V

(EN)
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BSP130,115
NEXPERIA BSP130,115
1758082RL

NEXPERIA

晶体管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V

(EN)
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BSP130,115.
NXP BSP130,115.
2136115

NXP

场效应管, N沟道, DMOS FET, 300V, 350mA, 3-SOT-223

(EN)
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BSP130,115|NXPBSP130,115
NXP
BSP 系列 300 V 10 O 1.5 W N沟道 增强型 D-MOS 晶体管 SOT-223
Rohs

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BSP130,115|NXP SemiconductorsBSP130,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 300V 350MA SC73
Rohs

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BSP130115|NXPBSP130115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 300V 350mA SOT223
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BSP130,115|NXP SemiconductorsBSP130,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223
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无图BSP130 115
NXP Semiconductors
MOSFET TAPE-7 MOSFET
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BSP130,115|NXPBSP130,115
NXP
BSP 系列 300 V 10 O 1.5 W N沟道 增强型 D-MOS 晶体管 SOT-223
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BSP130115|NXPBSP130115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 300V 350mA SOT223
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BSP130115|NXP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSP130115
制造商型号: BSP130115
制造商: NXP
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 300V 350mA SOT223
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 300V 350mA SOT223
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 250mA
  • 漏源电压, Vds: 300V
  • 在电阻RDS(上): 6ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 1.5W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-223
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOT-223
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 增强
  • 漏极电流, Id 最大值: 350mA
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 300V
  • 电压, Vgs 最高: 2V
  • 表面安装器件: SMD

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