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NXP - BSH205 - 场效应管 MOSFET P SOT-23 - BSH205
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BSH205|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BSH205
制造商型号： BSH205
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET P SOT-23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P SOT-23
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: 750mA
  • 漏源电压, Vds: -12V
  • 在电阻RDS（上）: 400mohm
  • 电压 @ Rds测量: -4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 680mV
  • 功耗, Pd: 417mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 417mW
  • 功耗, Pd: 417mW
  • 外宽: 3.05mm
  • 外部深度: 2.5mm
  • 外部长度/高度: 1.12mm
  • 封装/箱盒: SOT-23
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 带子宽度: 8mm
  • 总功率, Ptot: 417mW
  • 晶体管数: 1
  • 最低阈值电压, Vgs th P沟道: 0.68V
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: -750mA
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 12V
  • 电压, Vgs 最高: -8V
  • 电流, Idm 脉冲: 3A
  • 表面安装器件: SMD
  • 通态电阻最大值: 500mohm
产地： NE Niger

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