NXP - BSH203,215 - BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P沟道 增强模式 MOS 晶体管 - SOT-23 - BSH203215
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BSH203,215
- BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P沟道 增强模式 MOS 晶体管 - SOT-23 - BSH203215
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BSH203,215
制造商型号:
BSH203,215
制造商:
NXP
描述:
BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P沟道 增强模式 MOS 晶体管 - SOT-23
技术参考:
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库存状态:
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所在地:
深圳全新原装现货
备注:
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400-900-3095, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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产品信息
Channel Type:
P-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
30 V
Drain-Source On Resistance-Max:
0.9 Ω
Qg Gate Charge:
2.2 nC
Rated Power Dissipation:
0.417 W
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
BSH203,215
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型号: BSH203,215 品牌: NXP 备注: BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P沟道 增强模式 MOS 晶体管 - SOT-23
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