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NXP - BSH202,215 - BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23 - BSH202215
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BSH202,215|NXP
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BSH202,215
制造商型号： BSH202,215
制造商： NXP
描述： BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.9 Ω
  • Qg Gate Charge: 2.9 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.417 W

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