典型功率增益 | 13 dB | |
典型输入电容值@Vds | 80 pF V @ 28 | |
安装类型 | 螺丝 | |
宽度 | 10.91mm | |
封装类型 | LDMOST | |
尺寸 | 34.16 x 10.91 x 5.77mm | |
引脚数目 | 5 | |
最低工作温度 | -65 °C | |
最大功率耗散 | 290 W | |
最大栅源电压 | ±15 V | |
最大漏源电压 | 65 V | |
最大连续漏极电流 | 18 A | |
最高工作温度 | +200 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 射频 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 共源、双 | |
长度 | 34.16mm | |
高度 | 5.77mm |