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NXP - BLF246B,11 - 射频 MOSFET,N沟道,65V,8A,VHF,CDFM8 - BLF246B11
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型号 制造商 描述 操作
BLF246B,112
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Ampleon

RF FET 2 NC 65V 19DB SOT161A

RoHS: Compliant
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无图BLF246B 112
NXP Semiconductors
射频MOSFET电源晶体管 RF DMOS 60W VHF P-P
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无图BLF246B,11
NXP
射频 MOSFET,N沟道,65V,8A,VHF,CDFM8
Rohs

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BLF246B,112|NXPBLF246B,112
NXP
BLF24 系列 双 N沟道 175 MHz 19 dB 甚高频 功率 MOS 晶体管 - SOT161B
Rohs

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无图BLF246B112
NXP
原厂原装货
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BLF246B,112|NXP SemiconductorsBLF246B,112
NXP Semiconductors
TRANSISTOR RF DMOS SOT161A
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BLF246B,112|NXPBLF246B,112
NXP
BLF24 系列 双 N沟道 175 MHz 19 dB 甚高频 功率 MOS 晶体管 - SOT161B
Rohs

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BLF246B,112|NXP SemiconductorsBLF246B,112
NXP Semiconductors
TRANSISTOR RF DMOS SOT161A
Rohs

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无图BLF246B,11
NXP
射频 MOSFET,N沟道,65V,8A,VHF,CDFM8
Rohs

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Ampleon USA Inc. - BLF246B,112 - RF FET 2 NC 65V 19DB SOT161A
Ampleon USA Inc.
RF FET 2 NC 65V 19DB SOT161A

详细描述:RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 28V 50mA 175MHz 19dB 60W CDFM8

型号:BLF246B,112
仓库库存编号:568-2403-ND
别名:568-2403
934001090112
BLF246B
BLF246B-ND
无铅
无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BLF246B,11
制造商型号: BLF246B,11
制造商: NXP
描述: 射频 MOSFET,N沟道,65V,8A,VHF,CDFM8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型功率增益19 dB
典型输入电容值@Vds125 pF V @ 28
安装类型螺丝
宽度16.81mm
封装类型CDFM
尺寸24.97 x 16.81 x 7.27mm
引脚数目8
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散130 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压65 V
最大漏源电阻值0.75 Ω
最大连续漏极电流8 A
最高工作温度+200 °C
每片芯片元件数目2
类别射频 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置共源、双
长度24.97mm
高度7.27mm

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