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NXP - BLF245 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123 - BLF245
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BLF245|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
BLF245
制造商型号： BLF245
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET VHF SOT123
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET VHF SOT123
  • 晶体管类型: RF MOSFET
  • 漏源电压, Vds: 65V
  • 电流, Id 连续: 6A
  • 功耗, Pd: 68W
  • 最低工作频率: 25MHz
  • 最高工作频率: 175MHz
  • 噪声: 2dB
  • 封装类型: SOT-123
  • 针脚数: 4
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 典型增益带宽, ft: 175MHz
  • 功耗最大值: 68W
  • 器件标号: 1
  • 在电阻RDS（上）: 400mohm
  • 封装/箱盒: SOT-123
  • 封装类型: SOT-123
  • 工作频率范围: 25MHz 至 175MHz
  • 晶体管数: 1
  • 晶体管极性: N沟道
  • 最小功率增益 Gp: 33dB
  • 漏极电流, Id 最大值: 6A
  • 用途代码: RFPOWMOS
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 65V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idss 最大: 2mA
  • 通态电阻最大值: 750mohm
  • 针脚格式: D(1), S(2&4), G(3)
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4.5V
产地： PH Philippines

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