| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BLF175,112 [更多] | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF DMOS 30W HF-VHF RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BLF175,11 | NXP | 射频 MOSFET，N沟道，HF/VHF，125V，4A，SOT123A | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | BLF175,112 NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Ampleon USA Inc. RF FET NCHA 125V 20DB SOT123A 详细描述：RF Mosfet N-Channel 50V 30mA 108MHz 20dB 30W CRFM4 型号：BLF175,112 仓库库存编号：568-2400-ND 别名：568-2400 <br>933939780112 <br>BLF175 <br>BLF175-ND <br> | | 搜索 |
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 | BLF175,11 NXP | 射频 MOSFET，N沟道，HF/VHF，125V，4A，SOT123A 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| BLF175 112 NXP Semiconductors | 射频MOSFET电源晶体管 RF DMOS 30W HF-VHF 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | BLF175,112 NXP | BLF175 系列 28 - 108 MHz 8 W 高频/甚高频 功率 MOS 晶体管 - SOT123A | 查价格库存 查看详细 |
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| BLF175,11 NXP | 射频 MOSFET，N沟道，HF/VHF，125V，4A，SOT123A 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| BLF175,112 NXP | BLF175 系列 28 - 108 MHz 8 W 高频/甚高频 功率 MOS 晶体管 - SOT123A | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型功率增益 | 24 dB | |
| 典型输入电容值@Vds | 130 pF V @ 50 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 9.73mm | |
| 封装类型 | SOT-123A | |
| 尺寸 | 24.87 x 9.73 x 7.47mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大功率耗散 | 68 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 125 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双源、单 | |
| 长度 | 24.87mm | |
| 高度 | 7.47mm |
