典型功率增益 | 25 dB | |
典型输入电容值@Vds | 1.2 pF @ 15 V(网关 2),2.5 pF @ 15 V(网关 1) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 1.4mm | |
封装类型 | SOT | |
尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
引脚数目 | 4 | |
最低工作温度 | -65 °C | |
最大功率耗散 | 200 mW | |
最大栅源电压 | ±6 V | |
最大漏源电压 | 20 V | |
最大连续漏极电流 | 0.03 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 射频 MOSFET | |
通道模式 | 消耗 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双门、单 | |
长度 | 3mm | |
高度 | 1mm |