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NXP - BF1208,11 - 射频 MOSFET,N沟道,6V,0.03A,双门,SOT666 - BF120811
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BF1208,11
制造商型号: BF1208,11
制造商: NXP
描述: 射频 MOSFET,N沟道,6V,0.03A,双门,SOT666
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型功率增益36(晶体管 A)dB,37(晶体管 B)dB
典型输入电容值@Vds2 pF pF @ 5 V(网关 1,晶体管 B),2.2 pF pF @ 5 V(网关 1,晶体管 A),3 pF pF @ 5 V(网关 2,晶体管 A),3.4 pF pF @ 5 V(网关 2,晶体管 B)
安装类型表面贴装
宽度1.3mm
封装类型SOT-666,SSMini
尺寸1.7 x 1.3 x 0.6mm
引脚数目6
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散0.18 W
最大栅源电压6 V
最大漏源电压6 V
最大连续漏极电流0.03 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别射频 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置共源、双
长度1.7mm
高度0.6mm

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