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NXP - BF1101WR,11 - 晶体管,MOSFET,N 沟道,表面安装,7V,30mA,部分集成偏置,SOT343,BF1101WR - BF1101WR11
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BF1101WR,11
制造商型号: BF1101WR,11
制造商: NXP
描述: 晶体管,MOSFET,N 沟道,表面安装,7V,30mA,部分集成偏置,SOT343,BF1101WR
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
典型输入电容值@Vds1.6 pF @ 5 V(网关 2),2.2 pF @ 5 V(网关 1)
安装类型表面贴装
宽度1.35mm
封装类型CMPAK
尺寸2.2 x 1.35 x 1mm
引脚数目4
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散0.2 W
最大栅源电压7 V
最大漏源电压7 V
最大连续漏极电流0.03 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别射频 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双门、单
长度2.2mm
高度1mm

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