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NXP - 2N7002PV,115 - 2N7002 系列 N-沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - SOT-666 - 2N7002PV115
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2N7002PV,115
制造商型号： 2N7002PV,115
制造商： NXP
描述： 2N7002 系列 N-沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - SOT-666
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: Dual N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 1.6 Ω
  • Qg Gate Charge: 0.8 nC
  • Rated Power Dissipation: 330 mW

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