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NXP - 2N7002E,215 - 2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W TrenchMOS FET - SOT-23 - 2N7002E215
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2N7002E,215|NXP
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2N7002E,215
制造商型号： 2N7002E,215
制造商： NXP
描述： 2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W TrenchMOS FET - SOT-23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 3 Ω
  • Qg Gate Charge: 0.69 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.83 W

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