型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
PUMB4,115 | NXP Semiconductors | TRANS ARR 2PNP W/RES 50V 6TSSOP | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | PUMB4,115 NXP | PUMB4 系列 50 V 100 mA 表面贴装 PNP/PNP 配备电阻 晶体管 - SOT-363![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Nexperia USA Inc. TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP 型号:PUMB4,115 仓库库存编号:PUMB4,115-ND 别名:934049940115 PUMB4 T/R PUMB4 T/R-ND | 无铅 |
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数据列表 | PEMB4,PUMB4 |
---|---|
产品相片 | SOT-363 PKG |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 1mA,5V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
频率 - 跃迁 | - |
功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP |
其它名称 | 934049940115 PUMB4 T/R PUMB4 T/R-ND |