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NXP Semiconductors - PSMN7R0-100ES,127 - MOSFET N-CH 100V I2PAK - PSMN7R0100ES127
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PSMN7R0-100ES,127|NXP Semiconductors
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PSMN7R0-100ES,127
制造商型号: PSMN7R0-100ES,127
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 100V I2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 PSMN7R0-100ES
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)6.8 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)125nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)6686pF @ 50V
功率 - 最大值269W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装I2PAK
其它名称568-7516-5
PSMN7R0-100ES,127-ND
PSMN7R0100ES127

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