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NXP Semiconductors - PSMN102-200Y,115 - MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK - PSMN102200Y115
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PSMN102-200Y,115|NXP Semiconductors
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PSMN102-200Y,115
制造商型号: PSMN102-200Y,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 PSMN102-200Y
产品相片 568-LFPAK-4,SOT669
标准包装  1,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)21.5A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)102 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)30.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1568pF @ 30V
功率 - 最大值113W
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商器件封装LFPAK,Power-SO8
其它名称568-6544-2
934061323115
PSMN102-200Y T/R
PSMN102-200Y T/R-ND
PSMN102-200Y,115-ND
PSMN102200Y115

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