PDF查询| 数据列表 | PSMN102-200Y |
|---|---|
| 产品相片 | 568-LFPAK-4,SOT669 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 102 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 30.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1568pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 113W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 供应商器件封装 | LFPAK，Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6544-2 934061323115 PSMN102-200Y T/R PSMN102-200Y T/R-ND PSMN102-200Y,115-ND PSMN102200Y115 |
