PDF查询| 数据列表 | PSMN020-30MLC |
|---|---|
| 标准包装 | 1,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 31.8A （Tmb） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 18.1 毫欧 @ 5A, 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.5nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 430pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 33W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT1210，8-LFPAK33（5 引线） |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 其它名称 | 568-9906-2 PSMN02030MLC115 |
