PDF查询| 数据列表 | PSMN012-80BS |
|---|---|
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | * |
| 包装 | * |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 80V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 74A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2782pF @ 12V |
| 功率 - 最大值 | 148W |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 568-9697-2 PSMN012-80BS,118-ND PSMN01280BS118 |
