数据列表 | PMZ250UN |
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产品相片 | SC-101_SOT-883 |
标准包装 | 10,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.28A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 300 毫欧 @ 200mA,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.89nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 45pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
供应商器件封装 | SOT-883 |
其它名称 | 568-6775-2 934060157315 PMZ250UN T/R PMZ250UN T/R-ND PMZ250UN,315-ND |