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| PMWD16UN,518 [更多] | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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| PMWD16UN,518 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.9A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP 型号：PMWD16UN,518 仓库库存编号：568-2360-1-ND 别名：568-2360-1 | 无铅 |
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PDF查询| 数据列表 | PMWD16UN |
|---|---|
| 产品相片 | 8-TSSOP |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9.9A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 19 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 23.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1366pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2360-2 934057596518 PMWD16UN /T3 |
