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NXP Semiconductors - PMDPB42UN,115 - MOSFET N-CH 20V DUAL HUSON6 - PMDPB42UN115
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PMDPB42UN,115|NXP Semiconductors
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PMDPB42UN,115
制造商型号: PMDPB42UN,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 20V DUAL HUSON6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
产品相片 SOT1118
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)50 毫欧 @ 3.9A, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)3.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)185pF @ 10V
功率 - 最大值510mW
安装类型*
封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装6-HUSON(2X2)
其它名称934066485115

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