数据列表 | PH1875L |
---|---|
产品相片 | 568-LFPAK-4,SOT669 |
标准包装 | 1,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 75V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 45.8A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 16.5 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 33.4nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2600pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 62.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
供应商器件封装 | LFPAK,Power-SO8 |
其它名称 | 934059871115 PH1875L T/R PH1875L T/R-ND |