数据列表 | PDTA115E |
---|---|
产品相片 | EMT3(SOT-416,SC-75)SOT416 |
产品目录绘图 | SOT-416 Package Top PDTA1xxxE Series Circuit |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 100k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 100k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 150mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
频率 - 跃迁 | - |
功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
供应商器件封装 | SC-75 |
其它名称 | 568-2106-2 934058177115 PDTA115EE T/R |