PDF查询| 数据列表 | PBSS4350SPN |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 特色产品 | NXP - I2C Interface |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2.7A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 340mV @ 270mA，2.7A / 370mV @ 270mA，2.7A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 300 @ 1A，2V / 180 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大值 | 750mW |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-7301-2 934061033115 PBSS4350SPN T/R PBSS4350SPN T/R-ND PBSS4350SPN,115-ND PBSS4350SPN115 |
