PDF查询| 数据列表 | PBSS3515E |
|---|---|
| 产品相片 | EMT3 |
| 特色产品 | NXP - I2C Interface |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 15V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 150 @ 100mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 频率 - 跃迁 | 280MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-6387-2 934059167115 PBSS3515E T/R PBSS3515E T/R-ND PBSS3515E,115-ND |
