PDF查询| 数据列表 | PBLS2002S |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 特色产品 | NXP - I2C Interface |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA，3A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V，20V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 4.7k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V / 150 @ 2A，2V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA，10mA / 355mV @ 300mA，3A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA，100nA |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-7229-2 934060278115 PBLS2002S T/R PBLS2002S T/R-ND PBLS2002S,115-ND PBLS2002S115 |
