PDF查询| 数据列表 | PBLS1501Y |
|---|---|
| 产品相片 | SOT666 |
| 特色产品 | NXP - I2C Interface |
| PCN Design/Specification | Resin Hardener 02/Jul/2013 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V，15V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 2.2k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 2.2k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA，100nA |
| 频率 - 跃迁 | 280MHz |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7217-2 934058047115 PBLS1501V T/R PBLS1501V T/R-ND PBLS1501V,115-ND PBLS1501V115 |
