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NXP Semiconductors - NX1029X,115 - MOSFET DUAL N/P-CH SOT666 - NX1029X115
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NX1029X,115|NXP Semiconductors
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
NX1029X,115
制造商型号: NX1029X,115
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET DUAL N/P-CH SOT666
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 NX1029X
产品相片 SOT666
标准包装  4,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能*
漏源极电压 (Vdss)60V,50V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)410mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值-
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SOT-666
其它名称NX1029X115

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